Modeling of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Kaydedildi:
| Yazar: | |
|---|---|
| Diğer Yazarlar: | |
| Materyal Türü: | Ekitap |
| Dil: | İngilizce |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
Springer Nature,
2025.
|
| Konular: | |
| Online Erişim: | Access eBook |
| Etiketler: |
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|
MARC
| LEADER | 00000nam a2200000 a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 24315 | ||
| 005 | 20261004183006.0 | ||
| 008 | 261004s2025 o 000 eng | ||
| 020 | |a 978-981-97-7506-4 | ||
| 100 | 1 | |a Nirmal, D. |9 51198 | |
| 700 | 1 | |a Ajayan, J. |9 50260 | |
| 245 | 0 | 0 | |a Modeling of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors |
| 260 | |b Springer Nature, |c 2025. | ||
| 300 | |a 1 online resource | ||
| 650 | 4 | |a Engineering | |
| 538 | |a Mode of access: World Wide Web. | ||
| 856 | 4 | 0 | |u https://library.mist.ac.bd/ebooks/10586/go?src=vufind |z Access eBook |
| 942 | |c EBOOK | ||
| 999 | |c 24315 |d 24315 | ||