CMOS circuit design, layout, and simulation /

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Baker, R. Jacob
Körperschaft:	Institute of Electrical and Electronics Engineers
Weitere Verfasser:	Li, Harry W., Boyce, David E.
Format:	Buch
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	New York : IEEE Press, c1998.
Schriftenreihe:	IEEE Press series on microelectronic systems
Schlagworte:	Metal oxide semiconductors, Complementary > Design and construction. Integrated circuits > Design and construction. Metal oxide semiconductor field-effect transistors. Integrated circuit layout.
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