Zaman, F. (2026). PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS. EECE DEPT. MIST.
Успешно скопировано в буфер обмена
Ошибка копирования в буфер обмена
Цитирование в стиле Чикаго (17-е изд.)
Zaman, Faria. PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS. Dhaka: EECE DEPT. MIST, 2026.
Успешно скопировано в буфер обмена
Ошибка копирования в буфер обмена
Цитирование MLA (9-е изд.)
Zaman, Faria. PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS. EECE DEPT. MIST, 2026.
Успешно скопировано в буфер обмена
Ошибка копирования в буфер обмена
Предупреждение: эти цитированмия не могут быть всегда правильны на 100%.