Zaman, F. (2026). PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS. EECE DEPT. MIST.
Uspješno je kopirano u međuspremnik
Kopiranje u međuspremnik neuspjelo
Čikaški stil citiranja (17. izdanje)
Zaman, Faria. PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS. Dhaka: EECE DEPT. MIST, 2026.
Uspješno je kopirano u međuspremnik
Kopiranje u međuspremnik neuspjelo
MLA način citiranja (9. izdanje)
Zaman, Faria. PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS. EECE DEPT. MIST, 2026.
Uspješno je kopirano u međuspremnik
Kopiranje u međuspremnik neuspjelo
Upozorenje: Ovi citati možda nisu uvijek 100% točni.