Стиль цитування APA (7-ме видання)
Zaman, F. (2026). PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS. EECE DEPT. MIST.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)
Zaman, Faria. PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS. Dhaka: EECE DEPT. MIST, 2026.
Стиль цитування MLA (9-ме видання)
Zaman, Faria. PHYSICS BASED MODELING AND CIRCUIT LEVEL EVALUATION OF SI-ON SIC MOSFET FOR HIGH-SPEED AND LOW POWER VLSI APPLICATIONS. EECE DEPT. MIST, 2026.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.